隧道二極管

隧道二極管
1N3716隧道二極管(比例為0.1“跳線
類型 被動的
工作準則 量子隧道
發明 獅子座
首次生產 索尼
引腳配置 陽極陰極
電子符號
10 MA葡萄園隧道二極管安裝在Tektronix 571曲線示踪劑的測試固定裝置中

隧道二極管埃薩基二極管是一種半導體二極管,由於稱為隧道的量子機械效應,其有效地“負電阻”。它是1957年8月由利奧·埃薩基(Leo Esaki)在東京Tsushin Kogyo(現在稱為索尼)工作的。 1973年,埃薩基(Esaki)獲得了諾貝爾物理學獎,以實驗半導體中的電子隧道效應。羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)在為威廉·蘇克利(William Shockley)工作時獨立設計了隧道二極管的想法,但不願追求它。隧道二極管最初是由索尼於1957年首次由索尼製造的,其次是1960年左右的通用電氣公司和其他公司,今天仍然很少製造。

隧道二極管具有大約10 nm( 100Å )寬的濃度呈陽性(PN)連接沉重的摻雜會導致損壞的帶隙,其中N側的傳導帶電子狀態或多或少與P側的帶孔保持一致。它們通常是由製成的,但也可以由砷化炮材料製成。

用途

在其工作範圍的一部分中,負差分電阻使它們可以用作振盪器放大器,並在使用磁滯的轉換電路中發揮作用。它們還用作頻率轉換器檢測器。它們的低電容使它們可以在微波頻率上運行,遠高於普通二極管和晶體管的範圍。

8–12 GHz隧道二極管放大器,大約1970年

由於其低輸出功率,隧道二極管未被廣泛使用:由於其小電壓揮桿,其射頻輸出限制為幾百毫米。然而,近年來,已經開發了使用隧道機制的新設備。諧振肺二極管(RTD)已達到任何固態振盪器的一些最高頻率。

另一種類型的隧道二極管是金屬 - 絕緣子 - 絕緣子 - 金屬(MIIM)二極管,其中附加的絕緣體層允許“踩踏隧道”以更精確地控制二極管。還有一個金屬 - 絕緣子金屬(MIM)二極管,但由於固有的敏感性,其當前的應用似乎僅限於研究環境。

向前偏置操作

在正常的正向偏置操作下,隨著電壓開始增加,第一隧道處的電子穿過非常狹窄的PN連接屏障,並填充了N側的傳導帶中的電子狀態,該態與p側的空價帶狀態對齊PN連接點。隨著電壓進一步的增加,這些狀態變得越來越錯位,並且當前下降。這稱為負差分電阻,因為電流隨電壓增加而降低。隨著電壓的增加超出固定過渡點,二極管開始以正常二極管的形式運行,在該二極管中,電子通過傳導穿過PN連接,而不再是通過P – N Junction屏障進行隧穿。隧道二極管最重要的操作區域是“負電阻”區域。它的圖與正常的PN連接二極管不同。

反向偏置操作

IV曲線類似於隧道二極管特徵曲線。在V 1V 2之間,它在陰影電壓區域具有“負”差分電阻。

當在反向方向上使用時,隧道二極管被稱為後二極管(或向後二極管),並且可以用作零偏移電壓和極端線性的快速整流器(它們在反向方向上具有準確的平方法特徵)。在反向偏置下,P端上的填充狀態越來越與N面上的空狀態對齊,現在電子在反向方向上穿過PN連接屏障的隧道。

技術比較

I vs. Vs. V曲線10 MA葡萄園隧道二極管,在Tektronix Model 571曲線示踪劑上採用。

在常規的半導體二極管中,進行傳導時,當PN連接向前偏置並在接口反向偏置時阻止電流流量。這發生到一個稱為“反向故障電壓”的點,在該點開始傳導開始(通常伴隨著設備的破壞)。在隧道二極管中,P和N層中的摻雜濃度增加到一個水平,以使反向分解電壓變為,並且二極管在反向方向上進行。但是,當向前偏置時,會發生一種效果稱為量子機械隧道,該量子在其電壓與電流行為中產生一個區域,而正向電壓增加伴隨著向前電流的減小。這個“負電阻”區域可以用通常使用四極熱閥(真空管)的Dynatron振盪器的固態版本來利用。

申請

隧道二極管作為振盪器和高頻閾值(觸發)設備表現出巨大的希望,因為它以遠大於四極管的頻率運行,遠遠超出了四極管。隧道二極管的應用包括用於UHF電視調諧器的本地振盪器,示波器中的觸發電路,高速計數器電路以及非常快速的時間脈衝發生器電路。 1977年, Intelsat V衛星接收器使用了14–15.5 GHz頻帶中的微帶隧道二極管放大器(TDA)前端。這樣的放大器被認為是最先進的,在高頻下的性能比任何基於晶體管的前端都更好。隧道二極管也可以用作低噪聲微波放大器。自發現以來,更常規的半導體設備已使用常規振盪器技術超過了其性能。出於許多目的,三端設備(例如場效應晶體管)比只有兩個端子的設備更靈活。實用的隧道二極管以幾毫安和十分​​之一的伏特運行,使它們成為低功率設備。 Gunn二極管具有相似的高頻能力,並且可以處理更多的功率。

與其他二極管相比,隧道二極管對電離輻射的抵抗力更大。這使它們非常適合較高的輻射環境,例如在太空中發現的環境。

長壽

隧道二極管容易通過過熱而受到損壞,因此在焊接時需要特別注意。

隧道二極管以其壽命而著稱,1960年代製造的設備仍在運行。埃薩基(Esaki)和合著者在自然界中寫道,半導體設備通常非常穩定,並建議如果保持在室溫下,其保質期應為“無限”。他們繼續報導說,對50年曆史的設備進行了小規模的測試,揭示了“對二極管的壽命的令人滿意的確認”。正如在某些esaki二極管樣品中註意到的那樣,鍍金的鐵銷實際上會腐蝕並短暫腐蝕。通常可以用簡單的過氧化物 /醋技術對此進行診斷和處理,該技術通常用於修復手機PCB,並且內部的二極管通常仍然可以使用。

俄羅斯盈餘的組件也很可靠,儘管原始成本在30-50英鎊範圍內,但通常可以以幾便士的價格購買。通常出售的單位是基於GAA的,有一個 我在1-20 mA i pk左右的5:1 pk I比率,因此應保護過度電流。

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